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光电功能材料与器件校级重点实验室简介

日期:2016-01-04 来源: 作者: 关注:次

光电功能材料与器件校级重点实验室简介


光电功能材料与器件校级重点实验室是在物电系光电材料研究所的基础上,在学校的重点资助下于2010年开始筹建的。重点实验室立足于地方经济需求,瞄准当前光电功能材料研究的国际学术前沿,针对光电信息、新能源等领域对新材料和新器件的需求,致力于半导体量子点材料、光伏材料、稀土发光材料等重要的微结构光电功能材料的设计、构筑、表征以及其中的光电物理效应的研究,并在此基础上构建与此相关的高效率光电子原型器件。实验室现有固定成员6名,包括广东省高校“千百十”工程省级培养对象、校级培养对象5人


近年来,实验室成员主持国家自然科学基金项目3项、省部厅级项目6项。相关研究成果以论文的形式先后在国际著名物理学、光学、材料学学科刊物(如:Applied Physics Letters, Optics Letters, Optics Express, Scripta Materialia, Journal of Applied Physics等)上发表,近3年来,实验室教师在国内外重要学术刊物发表论文30多篇,其中SCI收录论文20多篇。2010年,实验室成员获第5届徐叙瑢发光学优秀青年学术论文奖。


 在实验室平台建设方面,现拥有包括自主设计的甚高频PECVD系统、热蒸发系统、JY荧光光谱仪、电学测试系统等仪器设备。近年来实验室陆续与境内外一些知名光电研究小组(如法国巴黎高等科技大学、香港科技大学、台湾大学、南京大学、中科院物理所等)建立良好的通讯与协作关系,不断促进实验室建设与科研工作水平的提高。


实验室主要研究方向: 1)、高密度半导体量子点的可控制备与光电性质研究; 2)、硅基、CZTS光伏材料与电池研究; 3)、石墨烯的低温制备与器件运用; 4)、稀土光电材料与器件


实验室成员近期发表的主要论文:


1. Xiang Wang, et al., “Effect of barrier layers on electroluminescence from Si/SiOxNy multilayer structures”, Appl. Phys. Lett. 102,081114 (2013);


2. Rui Huang, et al.,“Luminescence enhancement of ZnO-core/a-SiNx:H-shell nanorod arrays”, Optics Express 21, 5891 (2013);


3. Rui Huang, J. Song, X. Wang, et al., “Origin of strong white electroluminescence from dense Si nanodots embedded in silicon nitride” Optics Letters, 37, 692 (2012);


4. Rui Huang, Shuigang Xu, Xiang Wang, et al., “Effective control of photoluminescence from ZnO nanowires by a-SiNx:H decoration” Optics Letters, 37, 211 (2012);


5. Xiang Wang, et al., “Interface effects on the electroluminescence spectra in amorphous-Si/silicon oxynitride multilayer structures”, SCIENCE CHINA:Physics, Mechanics & Astronomy 55, 1194 (2012)


6. Yanqing Guo, et al., “Growth characteristics of amorphous-layer-free nanocrystalline silicon films fabricated by very high frequency PECVD at 250°C”, Chin Phys. B 21, 066106 (2012)


7. Huihong Lin, Hongbin Liang, Guobin Zhang, and Qiang Su. “The luminescence of Eu3+ activated Ba2Mg(BO3)2 phosphors”, Appl. Phys. A., 205, 143(2011)


8. Chao Song, et al., “Carrier transport of doped nanocrystalline Si formed by annealing of amorphous Si films at various temperatures”, Solid State Communications, 151, 697(2011);


9. Chao Song, et al., “Structural and electronic properties of Si nanocrystals embedded in amorphous SiC matrix”, Journal of Alloys and Compounds, 509, 3963(2011);


10. Rui Huang, et al., “Nitrogen deep accepters in ZnO nanowires induced by ammonia plasma”, Appl. Phys. Lett. 99,143112 (2011);


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